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金刚石/铜、铝系列封装壳体

金刚石 / 铜镀金复合材料,以金刚石超高导热特性融合铜材优良加工性能,热导率最高可达 980W/(m・K)。
参数
材料 金刚石/铜(镀金)
密度 g/cm³ 5.3 ~ 5.7
热导率 W/(m•K) 750 ~ 980
线膨胀系数 10-6m/K 4.0 ~ 8.5
弯曲强度 MPa 260 ~ 280
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产品详情

金刚石/铜(镀金)复合材料


一、材料简介

金刚石/铜镀金复合材料,以金刚石超高导热特性融合铜材优良加工性能,热导率最高可达980W/(m・K),热膨胀系数与SiC/GaN芯片精准匹配,镀金层赋予优异可焊性与抗腐蚀能力,是高端半导体、射频军工、大功率算力设备新一代核心热管理封装基材,高效解决高密度电子器件高热流散热与长期可靠性难题。


二、性能参数


材料

密度

g/cm³

致密度

g/cm³

热导率

W/(m•K)

热膨胀系数

10-6m/K

弯曲强度

MPa

金刚石/铜(镀金)5.3 ~ 5.7≥97.5%750 ~ 9804.0 ~ 8.5260 ~ 280



三、产品优势

1.超高散热效率:

导热能力是纯铜2左右,可疏导AI算力芯片、SiC功率器件、射频功放超高热流密度(>1000W/cm²),杜绝热点堆积,避免芯片降频、烧毁,大幅提升大功率设备连续运行稳定性。

2.低热膨胀,杜绝芯片脱焊失效:

热膨胀系数和半导体芯片高度匹配,设备频繁启停、宽温冷热交替时,界面热应力极小,不会出现焊层开裂、基板翘曲、芯片剥离问题,大幅延长功率模块使用寿命,车规、军工可靠性拉满。

3.镀金镀层解决工程落地痛点:

原生金刚石铜不可焊接,镀金后直接兼容所有微电子封装焊接工艺;黄金惰性极强,在等离子腔体、潮湿、酸碱、臭氧腐蚀环境下长期稳定,不会氧化发黑导致接触电阻上升。

4.轻量化、精密加工能力:

密度远低于纯铜、钼铜合金,整机减重;一体烧结基材可直CNC凹槽、凸台、定位柱、镂空异形腔体,一站式做成芯片封装热沉底座,减少二次装配误差。


四、主要应用领域

1.半导体与算力行业:AI服务器GPU/CPU散热基板、碳化硅IGBT功率模块、激光器热沉、光模块封装底座;

2.射频通信军工领域:雷T/R组件、5G/6G射频功放、等离子清洗/刻蚀设备射频源散热腔体;

3.新能源与电力电子:新能源车电控模块、光伏逆变器、大功率充电桩功率器件散热载体;

4.高端科研仪器:高精度探测器、真空腔体耐热导热结构件。


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金刚石/铝(镀金)复合材料


一、材料简介

金刚石/铝复合材料是以高纯铝合金为连续基体、金刚石颗粒为导热增强相,通过真空气压浸渗等致密技术工艺一体复合成型的第四代电子封装热管理材料


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二、性能参数


材料

密度

g/cm³

致密度

g/cm³

热导率

W/(m•K)

热膨胀系数

10-6m/K

弯曲强度

MPa

金刚石/铝(镀金)3.0 ~ 3.15≥98.5400 ~ 6005.0 ~ 9.0230 ~ 270




三、产品优势

1.极致轻量化,航空航天首选:

密度仅3.0g/cm³左右,比金刚石/铜复合材料轻40%以上,在机载雷达、卫星载荷、航天控制器等对重量严苛约束的装备中,大幅降低整机载荷负担,是轻量化热沉最优性价比方案。

2.低热膨胀,杜绝芯片脱焊失效

热膨胀系数5~9ppm/K,与硅、碳化硅、氮化镓功率芯片高度匹配,设备频繁启停、剧烈温差变化时,芯片与基板界面热应力极小,避免焊层开裂、基板翘曲、芯片剥离,大幅延长军工装备服役寿命。

3.镀金后完美解决封装工程痛点

原生金刚石铝无法焊接,镍金镀层直接兼容所有半导体封装主流工艺;黄金抗氧化、抗等离子刻蚀腐蚀,在雷达射频腔体、真空器件中长期性能稳定,不会因氧化导致射频损耗上升。

4.精密异形一体化加工能力

基材硬度适中,可直接一体加工凹槽、凸台、定位柱、阶梯腔体、异形卡扣结构,一次成型雷达T/R组件封装外壳、功率器件热沉底座,减少二次装配公差,提升器件装配精度。


四、主要应用领域

1.军工雷达与射频通信:

有源相控阵雷达T/R收发组件、5G/6G射频功放模块、微波功率器件壳体、雷达发射通道散热基板。

2.航空航天轻量化电子设备:

卫星星载功率模块、机载电源控制器、航天探测器高热元器件散热载体,依托低密度优势减重增效。

3.半导体与光电子器件:

激光器封装热沉、激光二极管底座、倒装芯片封装基板、中功率SiC新能源模块散热底板。

4.工业高端装备:

大功率固态激光器、真空等离子设备腔体、高精度检测仪器温控散热结构件。


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